臺積電的4nm/5nm工藝并無本質區別 三星8nm強太多了

之前傳聞顯示，RTX 40系列將采用臺積電4nm制造工藝，而在正式發布的時候，官方標注為“4N”，和臺積電說的“N4”正好反過來。這是什么鬼?

我們的第一反應，是這屬于定制版的臺積電4nm，結果只猜對了一半。

根據快科技了解，4N工藝確實是NVIDIA與臺積電定制的，但并非4nm，而是5nm，所以完整說法應該是臺積電4N 5nm工藝。

這也再次證明，臺積電的4nm、5nm工藝并無本質區別，前者主要是提高了晶體管集成度。當然了，總要比RTX 30系列的三星N8 8nm強太多了。

按照黃仁勛的說法，憑借新的架構和工藝，RTX 40系列的能效是RTX 30系列的兩倍。

數據顯示，Ada Lovelace架構的大核心AD102集成了763億個晶體管，核心面積608.4平方毫米，密度為1.255億個/平方毫米，內置18176個CUDA核心、142個第三代光追核心、568個第四代張量核心。

相比之下，三星8nm Ampere GA102核心是283億個晶體管、628平方毫米，密度為4510萬個/平方毫米。

換言之，臺積電4N的集成密度是三星N8的足足2.8倍!

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